Русский материал для памяти нового поколения

Его создали русские парни. Есть фамилии с русскими окончаниями. Русская наука развивается.

11.02.2024 Ученые Научно-образовательного центра «Наноматериалы и нанотехнологии» УрФУ синтезировали материал для технологий памяти нового поколения — мемристоров. Такие носители информации могут работать быстрее и удерживать бо?льший объем данных, чем современные носители информации. В перспективе из таких материалов можно будет создавать миниатюрные флэшки для больших объемов информации или использовать для проектирования нейросетей. Одни из последних результатов работы по мемристивным структурам соавторы опубликовали в журнале «Доклады Российской академии наук. Химия, науки о материалах».

«В традиционных носителях информации есть ячейки памяти, которые сохраняют нули и единицы и кодируют информацию. В современных технологиях для этого используется классическая кремниевая флэш-память. Но она подходит к пределу своей миниатюризации, а информации, которую нужно хранить, становится все больше. Поэтому, чтобы сохранить тренд увеличения объемов памяти и уменьшения носителей, разрабатываются альтернативные технологии запоминания информации. И одна из таких технологий — память на основе резистивного переключения, над которой мы и работаем. Один из последних результатов, который мы получили, — синтезировали нанотрубки из диоксида циркония, которые, как мы полагаем, являются перспективной функциональной средой для формирования ячеек энергонезависимой резистивной памяти», — рассказывает соавтор исследований, младший научный сотрудник НОЦ «Наноматериалы и нанотехнологии» УрФУ Илья Петренёв.

Одной из особенностей мемристивной структуры на основе синтезированных нанотрубок является эффект квантования проводимости. Он заключается в формировании квантовых проводящих каналов, которые имеют поперечное сечение размером в один атом.