Русский транзистор для перспективной силовой электроники

Его создали русские парни. Есть фамилии с русским окончаниями. Русская наука развивается

07.03.2025 В последние десятилетия электроника (в основном выполненная на компонентной базе из кремния) приблизилась к пределу своих возможностей по целому ряду ключевых характеристик: легкости, компактности, быстродействию и возможности работать в экстремальных условиях, например, в космосе, при высоких перегрузках или в условиях радиации. Преодоление данных ограничений открывает широкие перспективы для развития многих отраслей промышленности: автомобилестроения, двигателестроения, самолетостроения, машиностроения, бытовой техники (компьютеры, планшеты, беспилотники, медоборудование, мобильные телефоны и проч.).

Альтернативой кремнию как материалу электронной компонентной базы (ЭКБ) является карбид кремния (SiC), который способен работать при более высоких температурах и напряжениях без потери электрических свойств. Это делает его перспективным для использования в силовой электронике, например, в инверторах и преобразователях энергии. Однако широкое применение карбида кремния требует не только наличия воспроизводимых технологий его синтеза, но и разработки новых тополого-технологических решений.

«В рамках реализации нашей программы развития “Приоритет 2030” по переходу на новую ЭКБ мы разработали отечественный прототип полевого транзистора на основе карбида кремния на 1,7 кВ. Транзисторы – это один из основных компонентов силовой электроники. Образцы транзисторов на основе карбида кремния уже успешно применяются практически во всех типах современной высоковольтной электроники, начиная от бытовой техники и электротранспорта и заканчивая системами связи и космической техникой», – отметил проректор по научной и инновационной деятельности СПбГЭТУ «ЛЭТИ» Александр Анатольевич Семенов.

Созданный в ЛЭТИ прототип SiC-транзистора внешне мало отличается от аналогичных SiC-устройств других производителей.