Русские алмазные диоды Шоттки
Викинг
Мудрость форума: Социальная жизнь
- Лягушка, которая барахталась, но не взбила масло155 418 ответов
- Ошибки молодости испортили всю мою жизнь424 ответа
- 30 лет для женщины - закат или расцвет?1 141 ответ
- Уважение к беременным1 284 ответа
- Есть ли бумеранг тем, кто разбил чужие семьи?782 ответа
- Почему в РФ так хейтят женщин за возраст443 ответа
- Большой скандал с соседями2 033 ответа
- С какой стати считается, что домохозяйкой быть стыдно!?8 817 ответов
- Статус жены. Чем он всем так важен?8 626 ответов
- Отдаю ребенка отцу...5 229 ответов
5 ответов
Последний —
Перейти
В и к и н г
-Впервые была продемонстрирована возможность измерения температуры силового диода рядом расположенным диодом-сенсором меньшего диаметра. Для измерения температуры использовался термозависимый параметр диода-сенсора – это напряжение открытия диода при малом токе. Изменение напряжения на диоде-сенсоре от температуры при постоянном токе составляло 3 мВ/ºC. Регистрируя напряжение на диоде-сенсоре при постоянном токе, проводились измерения температуры структуры, на которой расположен силовой диод, в реальном времени. Рис. 1г демонстрирует нагрев силового диода на 60ºС, измеренный диодом-сенсором (черная кривая), при подаче на силовой диод импульса напряжения (синяя кривая).
Подобные датчики температуры, изготовленные на других полупроводниковых материалах, широко используются в силовой электронике для мониторинга и управления тепловыделением, помогая регулировать мощность полупроводниковых приборов и повышать их надежность. В алмазной электронике применение такого датчика температуры как элемента электронной схемы также является важным для надежной работы аппаратуры и устройств, созданных с применением алмазной электронной компонентной базы.
Подобные датчики температуры, изготовленные на других полупроводниковых материалах, широко используются в силовой электронике для мониторинга и управления тепловыделением, помогая регулировать мощность полупроводниковых приборов и повышать их надежность. В алмазной электронике применение такого датчика температуры как элемента электронной схемы также является важным для надежной работы аппаратуры и устройств, созданных с применением алмазной электронной компонентной базы.
Гость
А что в этом особенного? Я датчик температуры на диоде еще четверть века назад делвл. А схему взял из книжки которой вообще хрен знает сколько лет.
Сколько денег стоить будет один экземпляр? Как обычно стоимость неплохого смартфона?
Форум: Социальная жизнь
Всего: 143 350 тем
Новые темы за сутки: 41 тема
- Девушки 30+, вы гуляете в одиночестве по городу?10 ответов
- А вас добавляли в чат бывших одногруппников? И ваша реакция?Нет ответов
- Надо закрыть все эти склады16 ответов
- Группа людей у власти8 ответов
- Рубрика: Лексическая минутка. Выпуск №14. Фразеологизм "Тише воды, ниже травы"24 ответа
- Тайны, теории, заговоры ВОВ9 ответов
- Кто такие массоны?9 ответов
- Зачем убили Кенеди?11 ответов
- Верите в теории заговоров?31 ответ
- Переезд2 ответа
Популярные темы за сутки: 15 тем
- Верите в теории заговоров?31 ответ
- Рубрика: Лексическая минутка. Выпуск №14. Фразеологизм "Тише воды, ниже травы"24 ответа
- А что сейчас и правда в Британию можно электронную визу получить?21 ответ
- Переезд в Беларусь16 ответов
- Надо закрыть все эти склады16 ответов
- Зачем убили Кенеди?11 ответов
- Жизнь в квартире покойника с еле знакомым мужчиной11 ответов
- Паз вб сворачиваются?10 ответов
- Девушки 30+, вы гуляете в одиночестве по городу?10 ответов
- Тайны, теории, заговоры ВОВ9 ответов
Следующая тема
Предыдущая тема
26.02.2025
В Институте прикладной физики им. А.В. Гапонова-Грехова РАН сделан существенный вклад в разработку электронных приборов на основе искусственного, синтезируемого из газовой фазы (CVD), алмаза. По совокупности своих физических свойств такой алмаз значительно превосходит другие широкозонные полупроводниковые материалы и является перспективным для создания мощных и высокочастотных полупроводниковых приборов следующего поколения.
Сотрудниками института были разработаны алмазные диоды Шоттки, которые могут использоваться в мощных высоковольтных преобразователях напряжения и радиационно-стойких датчиках ионизирующего излучения.
Для создания диода Шоттки в плазмохимическом реакторе собственной разработки на монокристаллической подложке выращивалась структура, состоящая из двух слоев алмаза, сильно (p++) и слабо (p-) легированных бором (рис. 1б). Впервые удалось получить сильно легированный бором слой алмаза (p++) высокого кристаллического совершенства с высокой концентрацией бора 1021 см-3 и низким удельным электрическим сопротивлением 10-3 Ом·см. Сформированные на такой структуре диоды могли работать в широком диапазоне температур (рис. 1в), при плотностях тока до 1000 А/см2. Превосходное кристаллическое качество выращенного CVD алмаза позволило достигнуть высоких пробойных полей диодов 2,5 МВ/см.
В ходе исследования было установлено, что созданный алмазный диод Шоттки имеет сверхнизкие токи утечки при включении в обратном направлении. Это открывает перспективы его использования в качестве малошумящих датчиков различных высокоэнергетических частиц, ультрафиолетового и рентгеновского излучений.